韓國《中央日報》發(fā)布消息稱(chēng),三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導體工藝,并于4月中正式量產(chǎn)首個(gè)利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對于新一代半導體的精密工藝問(wèn)題,三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量也日趨激烈。
三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)的5納米精密工藝采用了比現有的ArF更優(yōu)越的EUV技術(shù)。與ArF工藝相比,EUV短波長(cháng),能夠更加準確地畫(huà)出精密半導體的電路。半導體的電路越設計越薄,芯片的尺寸變小,耗電量也同時(shí)減小,發(fā)熱也降低,因此精密工藝尤為重要。
三星電子方面表示,此次開(kāi)發(fā)的“5納米工藝”通過(guò)最優(yōu)化的單元儲存設計,將比已有的7納米減少25%的面積大小,同時(shí)電量使用率提高20%,性能提高10%。
