記者近日從位于西安高新區的三星(中國)半導體有限公司采訪(fǎng)了解到,三星半導體高端存儲芯片二期項目總投資將超過(guò)140億美元。二期項目已于2018年3月開(kāi)工建設,預計今年7月份建成,2020年一季度實(shí)現量產(chǎn)。

　　三星(中國)半導體有限公司副總裁池賢基在采訪(fǎng)中說(shuō),三星半導體的存儲芯片二期項目分為兩個(gè)階段,第一階段投資70億美元,第二階段詳細計劃還未出爐,但預計會(huì )超過(guò)70億美元,總投資將超過(guò)140億美元。

　　2012年,西安高新區成功引進(jìn)三星電子存儲芯片項目,生產(chǎn)“V-NAND”閃存芯片。一期項目于2014年5月竣工投產(chǎn)?！耙黄陧椖坑媱澩顿Y70億美元,實(shí)際總投資超過(guò)了100億美元?！背刭t基說(shuō)。

　　據介紹,直接在中國生產(chǎn)“V-NAND”閃存芯片,將使三星更有效率地應對市場(chǎng)的變化和顧客的需求。池賢基說(shuō),三星半導體繼續投建二期項目,表示他們對中國經(jīng)濟很有信心。