10月12日，中國一冶中標--國家存儲器基地項目（一期）長(cháng)江未來(lái)館工程。
國家存儲器基地項目（一期）長(cháng)江未來(lái)館工程位于武漢光谷未來(lái)科技城內，場(chǎng)地北側為三湖街路，東側為未來(lái)三路，西側為未來(lái)二路，南側為科技五路。中國一冶施工內容主要為有長(cháng)江未來(lái)館施工圖所示的土建工程、室外工程、大臨設施、機電工程、消防工程、精裝修等所有項目及外部連廊。工程主體為五層鋼筋混凝土框架結構，屋面為鋼架屋面，建筑占地面積18868平方米，建筑面積66898平方米。使用功能包括停車(chē)、運動(dòng)健身及生活娛樂(lè )。
國家存儲器基地項目以芯片制造環(huán)節為突破口，集存儲器產(chǎn)品設計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷(xiāo)售于一體，建成后，將帶動(dòng)設計、封裝、制造、應用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節的發(fā)展，總產(chǎn)能將達到每月30萬(wàn)片，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元，標志著(zhù)芯片國產(chǎn)化之路將邁出可靠而重要的一步。
